|
|
|
结果: 找到相关主题 6003 个
-
clcc封装-封装方式,封装图分享-KIA MOS管
CLCC是一种带引脚的陶瓷芯片载体，属于表面贴装型封装；特点是引脚从封装的四个侧面引出，形成丁字形结构。CLCC封装采用氧化铝或氮化铝陶瓷构成基板框架，通过共晶焊或钎焊工艺形成多层互连结构。www.kiaic.com/article/detail/5808.html 2025-07-28
-
步进马达驱动器原理,步进电机工作原理-KIA MOS管
步进电机是将电脉冲转化为角位移或线位移的开环控制电机，又称为脉冲电机。在非超载的情况下，电机的转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数，而不受负载变化的影响。www.kiaic.com/article/detail/5809.html 2025-07-28
-
碳化硅mos管工作频率是多少,SiC碳化硅-KIA MOS管
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作频率可达1MHz甚至更高，高频特性显著优于传统器件。www.kiaic.com/article/detail/5811.html 2025-07-28
-
步进电机控制器原理图,电路图分享-KIA MOS管
步进电机控制器通过发出脉冲信号来驱动步进电机，实现对电机转动角度、速度和方向的精确控制，是一种专门用于控制步进电机运行的设备。www.kiaic.com/article/detail/5812.html 2025-07-28
-
60v pmos管,3606场效应管,-60v-60a,KPD3606A参数-KIA MOS管
KPD3606A P沟道场效应管漏源击穿电压-60V，漏极电流-60A，采用先进的高单元密度沟槽制造，极低导通电阻RDS（ON）11.6mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷减少开关损耗；100% EAS保证，在雪崩击穿条件下稳定工作，坚固可靠，优异的CdV/dt效应下...www.kiaic.com/article/detail/5819.html 2025-07-28
-
什么是半导体分立器件,应用领域详解-KIA MOS管
半导体分立器件是由半导体材料制成的独立电子元件，具有单一或特定功能，包括晶体二极管、三极管及场效应管、晶闸管等类别，其导电性能介于导体与绝缘体之间；主要用于整流、放大、开关控制等电路操作。www.kiaic.com/article/detail/5818.html 2025-07-28
-
分立器件有哪些?封装形式介绍-KIA MOS管
按照芯片功能的不同：分立器件可以分为二极管、三极管、IGBT、MOSFET、晶闸管等。按照功率、电流的不同：分立器件可分为小信号器件和功率分立器件两大类：小信号器件为耗散功率小于1W（或者额定电流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1W（或者额定电流不小于...www.kiaic.com/article/detail/5817.html 2025-07-28
-
逆变器应用mos,74120参数,1200v场效应管,KNK74120A参数-KIA MOS管
KNK74120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关损耗；?坚固的多晶硅栅极结构，具有高温稳定性、出色的稳定性与耐久性，广泛应用于BLDC电机驱动...www.kiaic.com/article/detail/5816.html 2025-07-25
-
mos管功放电路图,mos管功放特点-KIA MOS管
MOS管在功率放大电路中具有高频响应快、导通损耗低和驱动效率高等核心优势；广泛应用于专业音响系统、舞台设备、汽车电子和射频功率放大等领域。1.高效率与大功率：输出功率可达150W/8Ω，且开启电压低，偏置简单。2.低失真：线性优于晶体管，交越失真较小，中...www.kiaic.com/article/detail/5815.html 2025-07-25
-
ciss电容是什么意思,mos管的ciss-KIA MOS管
当漏源短接时测得的栅极到源极之间的总电容，它等于栅源电容Cgs加上栅漏电容Cgd。这个参数对于驱动电路的设计至关重要，因为它决定了驱动器需要提供的最大充电电流，以确保MOSFET能够快速开启或关闭。www.kiaic.com/article/detail/5814.html 2025-07-25
-
LED照明电路图,原理图分享-KIA MOS管
NPN 晶体管 2N3055 用于打开第 I 组蓝色 LED，而 PNP 晶体管 2N2905 用于打开第 II 组红色 LED。当基极施加超过 0.7V 的正 V 且电流进入基极时，NPN 晶体管导通。但对于 PNP 晶体管，只有当基极连接到负极或接地并且电流离开此处时，它才会导通。www.kiaic.com/article/detail/5707.html 2025-07-25
-
无线充电电路图,无线充电原理-KIA MOS管
无线充电的实现通常需要两个线圈，一个是置于充电平台中的发射线圈，另一个是置于电子设备内的接收线圈。当一个变化的电流通过充电平台的发射线圈时，线圈内会产生一个变化的磁场。在电子设备靠近充电平台后，接收线圈会产生感应电流，并且通过电路系统转换为直...www.kiaic.com/article/detail/5706.html 2025-07-25
-
数字电位器原理,电路图分享-KIA MOS管
当按下其中一个键（用力按下S1，轻轻按下S2）时，IC2d的输出会改变状态，从而使时钟发生器和IC1（通过IC2b）使能。然后，电容C1通过R1和R2充电，直到IC2a的输入电平变为低电平，此时连接到IC1时钟输入的栅极输出改变状态（从低到高）。www.kiaic.com/article/detail/5703.html 2025-07-25
-
占空比计算公式,pwm占空比详解-KIA MOS管
脉冲高电平持续时间（Ton）：是脉冲信号处于高电平状态的时间。脉冲周期（T）：是脉冲信号从开始到重复出现所需的时间长度（即：高电平时间+低电平时间）。www.kiaic.com/article/detail/5701.html 2025-07-25